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Spin Orbit Torque memory for non-volatile microprocessor caches
- Magnetic spin-based memory technologies are a promising solution to overcome the incoming limits of microelectronics. Nevertheless, the long write latency and high write energy of these memory technologies compared to SRAM make it difficult to use these for fast microprocessor memories, such as L1- Caches. However, the recent advent of the Spin Orbit Torque (SOT) technology changed the story: indeed, it potentially offers a writing speed comparable to SRAM with a much better density as SRAM and an infinite endurance, paving the way to a new paradigm in processor architectures, with introduction of non- volatility in all the levels of the memory hierarchy towards full normally-off and instant-on processors. This paper presents a full design flow, from device to system, allowing to evaluate the potential of SOT for microprocessor cache memories and very encouraging simulation results using this framework.
Verfasser*innenangaben: | F. Oboril, R. Bishnoi, M. Ebrahimi, M. Tahoori, G. Di Pendina, K. Jabeur, G. Prenat |
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URN: | urn:nbn:de:hbz:386-kluedo-43219 |
Dokumentart: | Konferenzveröffentlichung |
Sprache der Veröffentlichung: | Englisch |
Datum der Veröffentlichung (online): | 18.03.2016 |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2016 |
Veröffentlichende Institution: | Technische Universität Kaiserslautern |
Datum der Publikation (Server): | 14.03.2016 |
Freies Schlagwort / Tag: | Cache; Spin Orbit Torque Memory |
Seitenzahl: | 4 |
Fachbereiche / Organisatorische Einheiten: | Kaiserslautern - Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik |
CCS-Klassifikation (Informatik): | B. Hardware / B.3 MEMORY STRUCTURES / B.3.1 Semiconductor Memories (NEW) (B.7.1) |
DDC-Sachgruppen: | 6 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
Sammlungen: | International Workshop on Emerging Memory Solutions |
Lizenz (Deutsch): | Standard gemäß KLUEDO-Leitlinien vom 30.07.2015 |