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A Wide-Operating Range Standard-Cell Based Memory in 28nm FD-SOI

  • This study presents an energy-efficient ultra-low voltage standard-cell based memory in 28nm FD-SOI. The storage element (standard-cell latch) is replaced with a full- custom designed latch with 50 % less area. Error-free operation is demonstrated down to 450mV @ 9MHz. By utilizing body bias (BB) @ VDD = 0.5 V performance spans from 20 MHz @ BB=0V to 110MHz @ BB=1V.

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Metadaten
Verfasserangaben:Oskar Andersson, Babak Mohammadi, Joachim Neves Rodrigues
URN (Permalink):urn:nbn:de:hbz:386-kluedo-43308
Dokumentart:Konferenzveröffentlichung
Sprache der Veröffentlichung:Englisch
Veröffentlichungsdatum (online):14.03.2016
Jahr der Veröffentlichung:2016
Veröffentlichende Institution:Technische Universität Kaiserslautern
Datum der Publikation (Server):14.03.2016
Seitenzahl:2
Fachbereiche / Organisatorische Einheiten:Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
CCS-Klassifikation (Informatik):B. Hardware / B.3 MEMORY STRUCTURES / B.3.0 General
DDC-Sachgruppen:6 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / 621.3 Elektrontechnik, Elektronik
Sammlungen:International Workshop on Emerging Memory Solutions
Lizenz (Deutsch):Standard gemäß KLUEDO-Leitlinien vom 30.07.2015