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Keywords
- Abscheidung (1)
- Beschichten (1)
- Cat-CVD-Verfahren (1)
- Dünnschichtsolarz (1)
- Hot-Wire-Verfahren (1)
- Monte-Carlo-Simulation (1)
- Silicium / Amorpher Zustand (1)
- Solarzelle (1)
- Versuchsanlage (1)
- großflächige Abscheidung (1)
Faculty / Organisational entity
Das relativ kostengünstige Hot-Wire-CVD-Verfahren (HWCVD) ist für die großflächige Abscheidung von Dünnschichtsolarzellen auf der Basis des amorphen Siliziums (a-Si:H) eine viel versprechende Alternative zu anderen Abscheideverfahren, da - bei apparativ relativ einfachem Aufbau - ähnliche oder sogar bessere Materialeigenschaften sowie höhere Abscheideraten erreichbar sind. Allerdings wurde erst mit dieser Arbeit gezeigt, dass HWCVD zur Herstellung von a-Si:H-Solarzellen hochskaliert und zur Beschichtung großer Flächen angewendet werden kann. Dafür wurde eine Anlage speziell für die großflächige Abscheidung (30 cm x 30 cm) konzipiert und weltweit erstmals der Einfluss der Gaszuführungs- und Filamentgeometrie auf die Uniformität und Materialqualität des a-Si:H systematisch untersucht- sowohl experimentell als auch gestützt durch theoretische Berechnungen. Abschließend wurde der Prozess mit einer Monte-Carlo-Simulationsmethode simuliert und die Simulationsergebnisse an Hand der experimentellen Ergebnisse interpretiert.