Spin Orbit Torque memory for non-volatile microprocessor caches

  • Magnetic spin-based memory technologies are a promising solution to overcome the incoming limits of microelectronics. Nevertheless, the long write latency and high write energy of these memory technologies compared to SRAM make it difficult to use these for fast microprocessor memories, such as L1- Caches. However, the recent advent of the Spin Orbit Torque (SOT) technology changed the story: indeed, it potentially offers a writing speed comparable to SRAM with a much better density as SRAM and an infinite endurance, paving the way to a new paradigm in processor architectures, with introduction of non- volatility in all the levels of the memory hierarchy towards full normally-off and instant-on processors. This paper presents a full design flow, from device to system, allowing to evaluate the potential of SOT for microprocessor cache memories and very encouraging simulation results using this framework.

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Verfasserangaben:F. Oboril, R. Bishnoi, M. Ebrahimi, M. Tahoori, G. Di Pendina, K. Jabeur, G. Prenat
URN (Permalink):urn:nbn:de:hbz:386-kluedo-43219
Sprache der Veröffentlichung:Englisch
Veröffentlichungsdatum (online):18.03.2016
Jahr der Veröffentlichung:2016
Veröffentlichende Institution:Technische Universität Kaiserslautern
Datum der Publikation (Server):14.03.2016
Freies Schlagwort / Tag:Cache; Spin Orbit Torque Memory
Fachbereiche / Organisatorische Einheiten:Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik
CCS-Klassifikation (Informatik):B. Hardware / B.3 MEMORY STRUCTURES / B.3.1 Semiconductor Memories (NEW) (B.7.1)
DDC-Sachgruppen:6 Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / 621.3 Elektrontechnik, Elektronik
Sammlungen:International Workshop on Emerging Memory Solutions
Lizenz (Deutsch):Standard gemäß KLUEDO-Leitlinien vom 30.07.2015