Modification of the exchange bias effect by He ion irradiation

  • FeNi/FeMn exchange bias samples with a large exchange bias field at room temperature have been prepared on a Cu buffer layer. Upon irradiation with He ions, both the exchange bias field and the coercive field are modified. For low ion doses the exchange bias field is enhanced by nearly a factor of 2. Above a threshold dose of 0.3olsi 10 15 ions/cm 2 , the exchange bias field decreases continuously as the ion dose increases. The ob-served modifications are explained in terms of defect creation acting as pinning sites for domain walls and atomic intermixing.

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Verfasserangaben:A Mougin, Tim Mewes, Radek Lopusnik, M. Jung, D. Engel, A. Ehresmann, H. Schmoranzer, J. Fassbender, Burkard Hillebrands
URN (Permalink):urn:nbn:de:hbz:386-kluedo-9431
Dokumentart:Preprint
Sprache der Veröffentlichung:Englisch
Jahr der Fertigstellung:2000
Jahr der Veröffentlichung:2000
Veröffentlichende Institution:Technische Universität Kaiserslautern
Datum der Publikation (Server):18.02.2000
Fachbereiche / Organisatorische Einheiten:Fachbereich Physik
DDC-Sachgruppen:5 Naturwissenschaften und Mathematik / 53 Physik / 530 Physik
Lizenz (Deutsch):Standard gemäß KLUEDO-Leitlinien vor dem 27.05.2011

$Rev: 13581 $